Co掺杂含量对SiC薄膜发光性能的影响(2)
1. SiC稀磁半导体
1.1 SiC的概述
第三代半导体材料的SiC，随着科技的发展受到了社会的认可，因此SiC半导体材料有十分庞大的潜在市场，对于SiC半导体材料的物理特性的了解，本文通过SiC 和Si、GaAs 之间的性能参数的比较可以看出：
表1 性能参数的对比
材料 Si GaAs 3C-SiC 6H-SiC 4H-SiC
禁带宽度Eg(eV) 1.12 1.42 2.36 3 3.23
热导率(w/k.cm) 1.5 0.54 4.9 4.9 4.9
相对介电常数 11.9 12.5 10 9.7 9.7
电子报和飘逸速度(cm/s) 107 2×107 2×107 2.5×107 2.5×107
击穿电场(V/cm) 3×105 4×105 (1~5)×104 (1~5)×104 (1~5)×104
熔点(k) 1690 1510 >2100 >2100 >2100
莫氏硬度 7 <6.25 9 9 9
克氏硬度(Kg/mm2) 1100~1400 700~800 3000 3000 3000
SiC材料不仅具有优越的物理化学特性而且其工艺技术也在不断地发展，但是SiC器件还是有缺点的；因此可以通过对SiC材料进行探究，通过改造SiC器件的结构、提高器件工艺技术或者探索新型的器件结构来充分发挥SiC材料的优势[3]。
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