软件的CASTEP程序包进行介绍。

2.1 二氧化钒薄膜相变机理

   F.J.Morin于1959年第一个观察到VO2材料在越过68℃时发生电导率跃变的现象,它的变化幅度可达两个数量级。这个现象引起了科学家们的浓厚兴趣，他们对VO2晶体或薄膜材料的制备及特性的研究开展了相关工作。源:自~优尔·论`文'网·www.youerw.com/

   VO2的阻温曲线如图2-1所示,在低温度区域时,VO2薄膜的电阻比较大，可认为是半导体态，升高温度时，薄膜的电阻逐渐下降，但减小的幅度不是太大。当温度升高到其温度临界点时, VO2薄膜的电阻迅速减小，也就是说发生了突变，随着温度的升高，VO2薄膜下降的程度又开始有所减缓，因为此时VO2薄膜的电阻非常小，因此可认为其呈金属态。当温度下降的时候，VO2薄膜电阻不断升高，当温度降低到其临界温度时，薄膜电阻随温度降低而增大，并且速度加快，发生了由金属态到半导体态的变化，随着温度的降低，薄膜电阻有开始变慢的增大，直至薄膜电阻恢复到低温时的初始状态，这种阻值随温度的变化特性，就是VO2薄膜的半导体-金属相变过程。