2。3 ITO薄膜的光学性质

     ITO薄膜在可见光区(λ= 360 ~ 780nm）通过率达90%以上，红外反射率（λ= 1-2米）超过90%。微波是电磁波到-30dB明显衰减，发现透明导电膜是“蓝移”现象“B-M”效应一般用掺杂比的增加，光吸收边“蓝移”现象更为明显。

    铝掺杂氧化锌氧化锌：铝薄膜是纤维的结构。偶氮薄膜也是一种氮型半导体。薄膜的可见光透过率为89%左右，而在氢环境中的化学稳定性高于ITO薄膜。电阻率可以达到10 * 3 - 4厘米。 

3。透明导电膜的种类

    近一个世纪的研究之后，目前透明导电薄膜主要包括：金属膜、TCO、聚合物薄膜、复合膜等。 

4。TCO薄膜制备工艺的进展

4。1 衬底材料

    衬底材料的选择，除了其透明度的要求，有必要考虑TCO薄膜的热膨胀系数匹配。TCO薄膜一般采用非晶SiO2包覆的碱石灰玻璃（SiO2包覆效果的玻璃中的Na +扩散到ITO膜抑制）、单晶硅、ZnS和其他硬质基材的材料，也可以用软的聚合物材料。玻璃基板、倾角、涂料、MS、CVD、PVD、塑料基板，通常用于真空蒸发、溅射、离子镀。来*自-优=尔,论:文+网www.youerw.com

 4。2 物理汽相沉积（PVD) 法

    已经能够使用各种PVD技术，包括电子束蒸发，蒸发和DCMS的HDPE（直流磁控溅射）和其他高质量的TCO薄膜的沉积。ITO薄膜是一种非常成熟的方法制备MS（溅射）的过程，这主要是由直流（DC）和射频（RF）功率等离子氩或混合气体产生的aro2，合金靶材：SN）或氧化物陶瓷靶材（In2O3、SnO2）轰击，通过可大面积均匀的ITO薄膜在各种基材的工艺参数的控制。因此得到广泛的应用。ITO薄膜的制备各种PVD方法。

    PLD沉积过程原理，熔化基体表面沉积在基材上的KrF激光脉冲激光会聚在靶表面的高真空系统。PLD沉积的薄膜具有许多优点，如工艺重复性，化学计量比的准确性，但意境相，晶粒取向的取向等。操作很简单，你可以改变激光脉冲频率（1 ~ 400Hz）来获得较高的沉积速率（0。3 ~ 100nm / S）不改变基本的物理过程。此外，通过改变压力（2 - 10 ~ 100Pa）控制薄膜的颗粒~ 100eV能量，但PLD的应用并不普遍。 

    无论使用何种方法，制备工艺条件（锡掺杂、沉积速率、氧分压、衬底温度、功率、退火处理，薄膜厚度）对ITO薄膜的光电性能影响很大。这些工艺参数的优化可以获得高质量ITO薄膜。