早在激光器出现之前，美国人纽曼就在他的一篇未发表的论文手稿中第一个论述了在半导体受激能够产生辐射的可能，并认为可以向PN结注入少子来实现受激辐射，从而预测了半导体能产生激光。

在红宝石激光器被发明的推动下，科学家们纷纷对半导体激光器的进行研究，并与1962年秋天，GE、IBM和林肯实验室相继在一个月内成功地制造了砷化镓半导体激光器。1967年，贝尔实验室的Morton Panish和Lzuo Hayash提出了在GaAs中掺杂铝的方案，他们在1970年分别成功地研制出第一个在室温状态下连续运行的AlGaAs半导体激光器。63559

此后，历经了30多年的快速发展，半导体激光器结构多样化，由早期的同质结，经历了单异质结、双异质结、量子阱、应变量子阱等结构，以及直到今天正仍在发展的自组装量子点和量子级联的单极性结构。目前半导体激光器的可靠寿命已达数百万小时，波长覆盖几乎所有可见光以及邻近波长光，连续输出功率从几毫瓦到几百瓦水平。

半导体激光器由于具有重量轻、体积小、寿命长、效率高等优点，诞生一开始就成为了激光器领域的焦点，并在工业、军事、医疗、通信等众多领域广泛应用。但由于本身的量子阱波导结构限制，半导体激光器发射光束的质量相对于固体激光器、CO2激光器等传统激光器较差，这阻碍了其应用和拓展。论文网

近年来，国外大功率半导体激光器的发展非常迅速，最大单条连续输出功率已经超过600 W，最高电光转换效率也达到了72%，单条输出功率40～120 W的半导体激光器已经商品化。另外，国内大功率半导体激光器的研究和应用方面虽然起步较晚，但随着应变量子阱结构、无铝有源区提高端面光学灾变损伤光功率密度、宽波导大光腔结构、非对称波导结构等新技术被广泛采用，也取得了很大的进展[6]