SOI材料抗总剂量辐射性能国内外研究现状和参考文献(2)
[15] 王茹, 张正选, 俞文杰, 毕大炜, 陈明, 刘张李, 宁冰旭. 硅离子注入引入纳米晶对SIMOX材料进行总剂量辐射加固[J]. 功能材料与器件学报, 2011, (02):223-226.
[16] J.-P. Colinge. Silicon-on-insulator technology: materials to VLSI[M]. Kluwer Academic Pub, 1997.
[17] 关东旭. 硅集成电路工艺基础[M]. 北京：北京大学出版社. 2006. 156—198
[18] 孙宝全, 徐咏蓝, 衣光舜, 等. 半导体纳米晶体的光致发光特性及在生物材料荧光标记中的应用[J]. 分析化学, 2002, 30(6).
[19] 张帅, 张正选, 毕大炜, 陈明. 注硅改性SIMOX材料的总剂量效应研究[A].中国电子学会核电子学与核探测技术分会抗辐射电子学与电子脉冲专业委员会、中国核学会核电子学与核探测技术分会抗辐射电子学与电子脉冲专业委员会、中国工程物理研究院电子工程研究所.第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集[C].中国电子学会核电子学与核探测技术分会抗辐射电子学与电子脉冲专业委员会、中国核学会核电子学与核探测技术分会抗辐射电子学与电子脉冲专业委员会、中国工程物理研究院电子工程研究所:,2009:173-174-175-176-177.
[20] 王茹, 张正选, 俞文杰, 田浩, 毕大炜, 张帅, 陈明. 注硅工艺对埋氧层中陷阱电荷的影响[A]. 中国电子学会核电子学与核探测技术分会抗辐射电子学与电子脉冲专业委员会、中国核学会核电子学与核探测技术分会抗辐射电子学与电子脉冲专业委员会、中国工程物理研究院电子工程研究所.第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集[C]. 中国电子学会核电子学与核探测技术分会抗辐射电子学与电子脉冲专业委员会、中国核学会核电子学与核探测技术分会抗辐射电子学与电子脉冲专业委员会、中国工程物理研究院电子工程研究所:,2009:160-161-162-163-164.
[21] Bi D, Zhang Z, Chen M, et al. Influence of Si nanocrystal embedded in BOX on radiation and electrical properties of SOI wafer[J]. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2012, 272: 257-260.
[22] Shimizu-Iwayama T, Nakao S, Saitoh K. Optical and structural properties of implanted silicon nanocrystals[J]. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 1996, 120(1): 97-100.
[23] 杨德仁等著. 半导体材料测试与分析[M]. 上海：科学出版社. 2010. 158—178
[24] 王健, 蒋红兵, 玉文澄, 等. 多孔硅量子约束效应导致的红外多光子激发荧光[J]. 半导体学报, 1992, 13(12): 773-776.
[25] 毕大炜, 张正选, 张帅, 俞文杰, 陈明. 用Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管表征SIMOX SOI材料的抗总剂量辐射能力[A].中国电子学会核电子学与核探测技术分会抗辐射电子学与电子脉冲专业委员会、中国核学会核电子学与核探测技术分会抗辐射电子学与电子脉冲专业委员会、中国工程物理研究院电子工程研究所. 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集[C]. 中国电子学会核电子学与核探测技术分会抗辐射电子学与电子脉冲专业委员会、中国核学会核电子学与核探测技术分会抗辐射电子学与电子脉冲专业委员会、中国工程物理研究院电子工程研究所: 2009:139-140-141.
[26] Jun B, Fleetwood D M, Schrimpf R D, et al. Charge separation techniques for irradiated pseudo-MOS SOI transistors[J]. Nuclear Science, IEEE Transactions on, 2003, 50(6): 1891-1895.
[27] 毕大炜．FD SIMOX SOI材料的总剂量辐射加固机理及加固技术研究[D]．上海：中科院上海微系统与信息技术研究所，2010.