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1977年,垂直腔面发射激光器(VCSEL)的概念首次被日本东京工业大学的伊贺健一提出[3]。由于激光光学谐振器与半导体芯片基板垂直 ,从而可以实现芯片的表面激光发射,这种结构有着极大的优势,如阈值电流低,单波长操作稳定,高频调制,二维集成的方式易得,没有腔阈值伤害等等。VCSEL器件由于材料生长过程的成熟和设备结构的优化,获得了一系列的收获在低阈值电流和室温工作中,在1988年,室温情况下连续不断的激光逐渐被实现。

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