(2) 依次在去离子水和无水乙醇中浸泡2~3 s;

(3) 立即转移到配好的组装液中浸泡相应的时间。

组装前先通入高纯氮气10 min，组装过程中始终通入氮气除氧。组装相应的时间后，从组装液中取出铜电极后，用去离子水洗涤，然后迅速用冷风吹干后放入干燥器待用。本文采用的组装液浓度为：1 mM的十二硫醇(DT)，0。01 M的正辛胺、十八胺和十二胺。本文中所用几种组装液的结构如图1所示：

图1。组装液分子结构式

本文采用交流阻抗和Tafel法进行测试，交流阻抗的频率范围为100 kHz 到10 mHz，振幅为10 mV，每次实验前在测试溶液中浸泡300 s以确保体系的稳定，实验中所有溶液由分析纯试剂和去离子水配制而成，电化学实验采用的仪器是CHI604B电化学分析仪(上海辰华仪器公司)和Solartron 1287/1260(美国阿美特克公司)，实验数据由计算机采集。所有实验在室温下进行。

3。结果与讨论

3。1。组装DT不同时间对铜缓蚀作用的影响

图2为有无DT自组装膜铜电极在0。1 M Na2SO4溶液中的Nyquist图。如图2所示，空白铜电极(图2a)的阻抗弧半径最小，当组装时间为5 min时(图2b)，阻抗弧半径增加；当组装时间为30 min时(图2c)和120 min时(图2d)，阻抗弧半径随着组装时间增加，则阻抗弧半径越大，说明自组装膜更加致密、稳定性更好好，缓蚀效果也更好。

图2。 有无DT自组装膜铜电极在0。1 M Na2SO4溶液中的Nyquist图

(a: 0 min; b: 5 min; c: 30 min; d: 120 min)。

图3。 有无DT自组装膜铜电极在0。1 M Na2SO4溶液中的Tafel图

(a: 0 min; b: 5 min; c: 30 min; d: 120 min)。

图3为有无DT自组装膜铜电极在0。1 M Na2SO4溶液中的Tafel图，组装时间对缓蚀效率的影响如表1所示。如表1和图3所示，当组装从5 min增加到120 min (图3b-3d)，腐蚀电位逐渐正移，铜电极的缓蚀效率从70。83%增加到90。91%。说明缓蚀效率与组装时间有关，组装时间越长，腐蚀电流越低，腐蚀电位正移，铜的抗腐蚀能力越强。文献综述

表1。 DT自组装膜组装时间对铜在0。1 M Na2SO4溶液中缓蚀效率的影响

Assembly time Bare copper DT(5 min) DT(30 min) DT(120 min)

-Ecorr(V) 0。28 0。19 0。17 0。12

icorr(µΑ cm-2) 12。55 3。66 2。47 1。14

η% —— 70。83 80。31 90。91

3。2。 不同胺类自组装膜对铜缓蚀作用的影响

图4。 不同胺类单分子自组装膜铜电极在0。1 M NaCl溶液中的Nyquist图

图4为不同胺类(正辛胺、十八胺、十二胺)单分子自组装膜铜电极在0。1 M NaCl溶液中的Nyquist图，从图中可以看出，空白铜电极的阻抗弧半径最小(图4a)，而正辛胺的阻抗弧半径(图4b)稍微大一点，十八胺的阻抗弧半径(图4c)和十二胺的阻抗弧半径(图4d)都比较大，而十二胺的阻抗弧半径最大。

图5为不同胺类单分子自组装膜铜电极在0。1 M NaCl溶液中的Tafel图，从图中可以看出，空白的腐蚀电流(图5a)最高，正辛胺(图5b)的腐蚀电流较十八胺(图5c)和十二胺(图5d)的高。表2为不同胺类单分子自组装膜对铜缓蚀效率的影响，从图中我们也可以看出，正辛胺的缓蚀效率是74。5%，十八胺的缓蚀效率则是83。5%，而十二胺的缓蚀效率是85。4%，所以不同胺类组装相同的时间对铜电极的腐蚀作用是不同的。