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    3.2  TMS320F2812 Flash API V2.10简介
    TMS320F2812 Flash API V2.10是TI提供的Flash API函数的最新版本。通过TMS320F2812 Flash API V2.10中提供的API函数可以实现对Flash存储器内程序和数据的修改。
    擦除：
    只有Flash阵列可以擦除，OTP只可以一次烧写，之后就不可以擦除。擦除函数将所有的Flash阵列设置为1（0xFFFF）。擦除Flash时以段为最小擦除单位。
     
    图3-3 擦除结果示意
    烧写：
    Flash和OTP都可以利用烧写函数进行烧写。烧写函数将应用程序代码和数据烧写进Flash和OTP存储器。烧写函数将存储器的bit值由1改为0来写入数据，而不能把0改为1，所以在使用烧写函数之前必须先进行擦除。烧写函数每次擦除一个字的数据。
     
    图3-4 烧写结果示意
    校验：
    检验函数通过运行CPU二次读取数据并和原来的参考值进行比较，来检验数据是否被正确写入到期望的存储器位置。校验函数可以对Flash和OTP进行校验。
    3.3  Flash烧写的具体实现
    利用Flash API V2.10实现对Flash内数据的烧写必须按照下面的步骤进行：
    步骤1： 修改Flash281x_API_Config.h
    Flash281x_API_Config.h文件中包含使用Flash API时的不同用户设定，主要是不同的目标DSP型号和CPU时钟频率。在源文件中修改CPU宏定义实现不同CPU设定，以便编译器选择在TMS320F2810，TMS320F2811，TMS320F2812处理器中选择一种来编译。
     
    图3-5 选择与目标板一致的DSP芯片
    通过修改代码前的//号来选择对应的CPU时钟频率（SYSCLKOUT）。Flash API按照选定的时钟频率来运行。
     
    图3-6 选择DSP芯片的运行速度
    CPU时钟频率用来在编译时计算刻度因数，Flash API利用刻度因数在烧写Flash时插入适当的时间间隔，以便CPU能将数据正确烧写到Flash内。时刻因数在Flash281x_API_Config.h最后定义如下。
     
    图3-7 时刻因数的计算方法
    烧写时的CPU频率一般是最高值150MHz。Flash API正常运行时的频率不低于10MHz。
    步骤2：包含Flash281x_API_Library.h文件和与目标芯片对应的库文件
    Flash281x_API_Library.h是Flash API主要的头文件，包含擦除，烧写和确认函数，用到的结构体，变量等的定义。任何使用Flash API的软件都需要包含这两个文件。
    步骤3：初始化PLL控制寄存器
    API函数必须在合适的操作频率下运行，所以应用程序必须在任何API函数调用之前初始化PLL寄存器PLLCR，通过软件延时或其他方式保证PLL有足够的时间锁定新的频率。本系统中使用了131072个时钟周期,由软件初始化时调用InitSysCtrl()函数设定。
    步骤4：复制Flash API函数到片内SARAM中
    将Flash API函数由Flash复制到SARAM中，涉及程序代码在存储中的分布。DSP内部存储空间的资源分配由CMD文件定义。因此实现Flash API函数由Flash复制到SARAM需要在CMD文件中添加如下代码：
     
    图3-8 CMD文件中Flash API的定义
    代码说明：Flash API库位于Flash端（PRAMH0），运行地址是SARAM中的L0SRAM。段中必须包含下面两块：
    API 库源代码：    例如：Flash2812_API_V210.lib(.text)
    API常值参数：     例如：Flash2812_API_V210.lib(.econst)
    段中定义了三个给连接器用来分配API库的装载起始地址，结束地址和运行地址符号：
    装载起始地址：     Flash28_API_LoadStart
    装载结束地址：     Flash28_API_LoadEnd
    运行起始地址：     Flash28_API_RunStart
    这些符号在文件Flash281x_API_Library.h中声明。
     
    图3-9 API符号的声明
    在应用程序中使用这些定义的符号就可以将Flash API函数从Flash中复制到SARAM，如图3-10所示。
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