[7] 刘力锋，杨瑞霞，郭惠. 基于GaAs的新型稀磁半导体材料(Ga, Mn)As. 半导体情报[J]，2001 ,6 (38) : 25-30.

    本文介绍了一种基于GaAs的新型稀磁半导体材料（Ga,Mn）As，包括（Ga,Mn）As的制备方法，结构特性，磁性质及磁输运性质。最后，展望了（Ga,Mn）As的应用前景。

[8] 姬长建，张成强等.  稀磁半导体GaMnAs的物理性质研究. 山东教育学院学报[J]，2010 ,6(142) :21-24.

     本文利用低温分子束外延技术制备高质量的GaMnAs薄膜，通过XRD对样品进行分析，从实验和理论上分析生长条件，退火条件对薄膜缺陷及薄膜性能的影响。尤其是分析系统的研究间隙位Mn原子与As反位原子缺陷的变化，从而深入理解掺杂原子的周围结构与磁性之间的关系，为下一步制备自旋器件提供高载流子浓度，居里温度的（Ga,Mn）As材料提供了可能性。

[9] 陈余，关玉琴，赵春旺. 稀磁半导体材料居里温度的极值点.  发光学报[J]， 2009 ,5(30) :702-705.

   本文以Zener模型为基础，考虑反铁磁性交换作用对DMS材料居里温度的影响，理论计算得到了居里温度关于掺杂浓度和反铁磁性交换作用的二元函数，对GaAs：TM（Ga,TM）As的居里温度做了详细分析得到：n新型半导体居里温度有一个极大值，而p型掺杂是单调的递增。

三、参考文献

[1] 郭旭光，陈效双等.  (Ga, Mn)As体系中Mn无序对其电子结构及磁性影响的第一性原理研究.物理学报[J]，2004,5(53) :1516-1519.

[2] 陈余，关玉琴.  3d过渡金属掺杂GaAs的居里温度研究. 内蒙古工业大学学报[J]，2009 ,3(28) : 188-192.

[3] 蔺何，段海明.  GaAs掺杂3d过渡族金属材料的局域电子结构和磁性. 中国科学[D]，2008 ,5(38):  513-522.

[4] 陈启燊，雷天民.  GaAs第一性原理研究. 电子科技，2009 ,4(22) :69-71.

[5] 关玉琴，陈余，赵春旺.  Mn和Cr共掺杂对GaAs居里温度的影响. 功能材料[D]，2010 ,(41) :94-96.

[6] 刘芳芳，杨瑞霞等. 半磁半导体材GaMnAs,.  河北工业大学学报[J]，2002 ,6(31) :35-42.

[7] 刘力锋，杨瑞霞，郭惠. 基于GaAs的新型稀磁半导体材料(Ga, Mn)As. 半导体情报[J]，2001 ,6 (38) : 25-30.

[8] 姬长建，张成强等.  稀磁半导体GaMnAs的物理性质研究. 山东教育学院学报[J]，2010 ,6(142) :21-24.

[9] 陈余，关玉琴，赵春旺. 稀磁半导体材料居里温度的极值点.  发光学报[J]， 2009 ,5(30) :702-705.