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铜薄膜基底的制备与锡基化合物的生长(2)

时间:2022-02-26 22:49来源:毕业论文
第一章 绪论 1 1。1 引言 1 1。1。1 电子封装技术的发展 1 1。1。2 电子封装发展趋势 1 1。2 凸点 2 1。3 铜薄膜的电镀技术 3 1。3。1 电镀铜原理 3 1。3。2 现代

第一章 绪论 1

1。1  引言 1

1。1。1 电子封装技术的发展 1

1。1。2 电子封装发展趋势 1

1。2 凸点 2

1。3 铜薄膜的电镀技术 3

1。3。1 电镀铜原理 3

1。3。2 现代电镀铜技术 3

1。3。3 电镀铜的工艺原理 5

1。3。4 电镀液对镀层性质的影响 7

1。3。5 电镀工艺对镀层的影响 7

1。4 基板和钎料的界面反应 8

1。4。2 影响 IMC 生长的因素 9

1。4。3Sn 基钎料与 Cu 的界面反应 10

1。5 国内外研究 12

1。6 本文研究目的与内容 12

第二章 实验设备与方法 13

2。1 电镀铜基底制备 13

2。1。1  实验所需材料和试剂 13

2。1。2 镀液制备 14

2。1。3 制样设备 16

2。1。4 待镀工件(阴极)预处理 18

2。1。5 电镀工艺流程 18

2。2 铜薄膜表面化合物形貌 20

2。2。2 基体预处理 20

2。2。3 薄膜表面液态反应 20

2。2。4 后期处理 21

2。3 样品表征 21

2。3。1  显微结构分析 21

2。3。2 化学成分分析 21

2。3。3 晶体结构分析 22

第三章 数据分析 23

3。1 晶粒尺寸和取向分析 24

3。1。1CuSO4 溶液电镀铜薄膜在不同电流密度下的晶粒尺寸和取向分析 24

3。2。2 添加 HEDP 镀液下电镀铜薄膜的晶粒尺寸和取向分析 26

3。2。3CuSO4 溶液直流电和电脉冲法铜薄膜的晶粒尺寸和取向分析 27

3。2 组织和成分分析 28

3。2。1 电流密度对电镀铜表面形貌影响 28

3。2。2 不同添加剂对电镀铜表面形貌影响 31

3。3。3 脉冲沉积法对电镀铜表面形貌影响 32

3。4。1 电流密度对镀层表面焊锡组织的影响 33

3。4。2 添加剂对镀层表面焊锡组织的影响 34

第四章 结论 35

36

参考文献 37

第一章 绪论

1。1  引言

1。1。1 电子封装技术的发展 铜薄膜基底的制备与锡基化合物的生长(2):http://www.youerw.com/cailiao/lunwen_90252.html

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