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铁氧体化学工艺也称为湿法工艺，有时还被称为化学共沉淀法[6]。专门制备较高性能的铁氧体工艺得方法，其可分成中和法和氧化法两种。其过程是：先将制备铁氧体时所需的金属元素，配制成具有一定浓度的离子溶液，然后根据配方取适量溶液进行混合，通过中和或氧化等化学反应生成铁氧体粉末。 单晶铁氧体制造和金属单晶的生长一般在基本上都是相同的。Mn-Zn 和Ni-Zn铁氧体得单晶生长，一般使用的布里奇曼法，即多晶铁氧体放在铂坩埚中并在合适的温度梯度炉下操纵布里奇曼熔化，在坩埚的底部，产生缓慢固化的单晶。使在熔融状态下的氧分压的形成达到在晶体生长炉平衡，需要添加氧分压几个或甚至 100兆帕氧分压。 多晶薄膜作为垂直磁化膜的铁酸钡，采用了比较新型的面向目标的溅射装置及溅射的制备。制备石榴石单晶膜时，在单晶的衬底上采用要气相或者是液相外延法，和特定的半导体单晶的薄膜外延工艺法相当的相似。