（3）硼掺杂金刚石自身拥有很高的硬度，可以用来进行金属成分的分析而不用担心由于被测金属样品过硬不能从样品上磨取少量粉末进行测量。

（4）用于废水处理[9]。因为硼掺杂金刚石薄膜具有宽电势窗口，可以产生强氧化性物质用来氧化废水中的有机污染物，达到清理的目的同时不会造成二次污染，是一种环境友好型的污水处理方法[10]。因为硼掺杂金刚石薄膜化学稳定性好，所以电极本身不容易受到污染，使用寿命会很长，不需要经常更换。

1．3  硼掺杂金刚石薄膜的制备文献综述

1.3.1 微波等离子体CVD(MW—PCVD)法制备 [11]

采用Si3N4片作为薄膜沉积的衬底，实验前对基片进行预处理。先研磨基片，然后进行抛光处理，完了就用化学试剂清洗，再用去离子水冲洗晾干。实验时，将基片夹在支座上放进反应器中，合上反应器后抽真空，然后通入氢气。装置设备如图1.2所示。实验采用的碳源是甲烷，硼源是硼酸三甲酯。打开微波源，氢气会释放出氢等离子体，调整微波功率和气体浓度比以及反应室的压力，可以制备出高质量的硼掺杂金刚石薄膜[2]。

图1.2微波等离子体化学气相沉积          图1.3 直流等离子体化学气相沉积

1.3.2 直流等离子体喷射化学气相沉积（DC-Pjet CVD）法

用直流等离子体喷射化学气相沉积法制备金刚石薄膜，沉积速率比其他方式要快很多，是一种高速沉积金刚石薄膜的方法。装置如图1.3所示。原理是通过直流电弧来分解碳源和硼源气体产生等离子体，然后设备将气体喷射到反应室衬底上进行沉积，制备出所需薄膜。但用这种方法制备需要消耗过大，大量气体被浪费，成本太高。制成的薄膜质量并不是很好，优点就是快速沉积以节省时间了。

1.3.3 热丝CVD(HFCVD)法制备[12]

热丝法沉作为沉积金刚石薄膜的一种方法，现在已经较为成熟。制备薄膜的原理是先在反应室内放置好基片，对着基片上方的位置有用来加热的高熔点金属热丝，通过金属热丝高温加热，碳源气体分解出甲基，氢气分解氢原子，然后在基片上反应沉积，制得金刚石薄膜。此方法便捷，但是整个过程耗费时间略长，而且稳定性不好、容易被污染，制出的薄膜质量比较差，不及微波等离子体法制备的薄膜。

1．4  金纳米粒子

金纳米粒子颗粒是指金粒子宏观尺寸被缩小至纳米级别（5~100nm）的金颗粒，其原子和电子结构相对于常规的金粒子发生了很大的改变。作为一种新材料，金纳米粒子有着优异的性能，因而有很广泛的应用[13]。

（1）作为催化剂[14]。因为金纳米粒子尺寸只有纳米级别，有着很强的表面活性，再加上比表面积很大，有很强的催化作用。并且金纳米粒子本身是一个独立的颗粒，自身没有空隙，就不会出现反应物进入到金粒子之中而出现副反应的现象。

（2）用作传感器。因为金纳米粒子比表面积大，表面活性强，对外界敏感性强的性质，因此做成传感器是个很好的选择。并且相对于传统的传感器，金纳米粒子传感器有着敏感度高、体积小巧以及电子开关密度极高的优势。

1．5  金纳米粒子在硼掺杂金刚石薄膜上的修饰

    因为硼掺杂金刚石薄膜有着优异的电化学性能，金纳米粒子同样有着很好的电化学特性，因而设想当硼掺杂金刚石薄膜表面修饰有金纳米粒子时，在两者的共同作用下会不会相互促进，使硼掺杂金刚石薄膜的性能进一步提高。来!自~优尔论-文|网www.youerw.com