用GaN作为衬底,制成同质外延器件结构,器件性能得到大部分提高。但是由于GaN基材料具有极高的熔点和非常大的氮气饱和蒸汽压,难以获得大面积高质量的GaN衬底。目前主要采用的方法是利用HVPE技术在蓝宝石或其他材料衬底上快速生长成厚的GaN膜,然后采用机械抛光或激光器技术剥离,获得GaN衬底。

2.2  外延层的生长:

外延生长工艺是半导体激光器制造中的核心工艺,它是决定器件性能和成品率的关键步骤。GaN基激光器的外延层一般采用GaN材料。GaN材料是指GaN,InN,AlN以及由它们组成的多元合金材料。通过调整合金成分,可以获得1.9-6.2eV的连续可调的带隙能,因此GaN基材料能覆盖从紫外到红光的频谱,从而成为短波长光电子器件及高频、高压、高温微电子器件制备最优先选择的材料。

2.2.1  GaN基材料的基本特性[3]:

(1)结构特性:GaN是坚硬的高熔点(1700℃)材料。一般为六方对称性的纤锌矿结构,但在一定条件下也能以立方对称的闪锌矿结构存在。

(2)物理特性:物理性能优良,如宽带隙,高击穿等有利于制备高功率的电子器件。

(3)化学性能:GaN具有强硬度,抗常规湿法腐蚀的特点。室温下不溶于水,酸和碱,但能缓慢溶于热碱。因此还没有一种有效的化学方法可以用来刻蚀GaN,目前常采用电感应耦合等离子(ICP)干法刻蚀技术来对GaN表面进行刻蚀。

(4)电学性能:由于N空位的存在,非故意掺杂的GaN均为n型。n型GaN的载流子浓度为1016~1018cm-3,因此给p型GaN的制造带来了困难,限制了GaN材料的使用。目前用来制造p型GaN的方法主要有:利用低能电子束辐射外延处理掺Mg的GaN得到p-GaN或者用快速热退火法获得更均匀的p型低阻薄膜(由于存在Mg-H络合物补偿,用低能电子束辐射或中温退火破坏Mg-H络合体,从而提高Mg2+的浓度)。近几年掺杂工作取得很大进展,在传统的快速加热退火工艺下进行等离子N2处理,可以提高表面p型电导率,减小欧姆接触电阻。或者采用两步快速加热退火,即先在较低温度(600℃)下退火5分钟,再在高温(900℃)下退火1分钟,可以提高GaN的电学性质,晶体质量和表面平整度。

2.2.2  GaN基材料的制备方法:

目前用于制备GaN基材料的方法主要有金属有机化学气相沉积法[10](MOCVD),分子束外延法[7](MBE),氢化物气相外延法(HVPE)。

金属有机化学气相沉积法[9]:用含外延膜成分的气体被气相输运到加热的衬底或外延表面上,通过气体分子热分解、扩散以及在衬底或外延表面上,并按照一定晶体结构排列成薄膜。下面会具体介绍这种方法,本论文实验也是采用这种方法制备激光器的。金属有机化学气相沉积法的优点:可用激光实时监控表面状况,能大批量生产发光二极管和激光器。缺点是:价格昂贵,采用有机金属作源,使用时对人体和环境产生一定的危害。

分子束外延法:源材料按元素的不同分别放在喷射炉中,通过高温蒸发、辉光放电离子化、气体裂解、电子束加热蒸发法等方式产生分子束流。入射的分子束与衬底交换能量后,经表面吸附、迁移、成核,可生长出极薄的(薄至单原子层水平)单晶体或几种物质交替的超晶格结构。生长系统配有多种监控设备,可对生长过程中的衬底温度,生长速度,膜厚等进行瞬时监测分析,对表面凹凸起伏,原子覆盖度,黏附系数,蒸发系数及表面扩散距离等生长细节进行精确监控。这种方法的优点:生长温度低,能严格控制外延层的层厚组分和掺杂浓度。缺点是:设备昂贵,真空度要求高,要获得超高真空以及避免蒸发器中的杂质污染需要大量的液氨,因而提高日常维持的费用,且系统复杂,生长速率慢,生长面积也受到一定的限制。

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