摘要采用固相法制备工艺获得 Sm2O3 掺杂非化学计量 Ba0。75Sr0。25Ti1－δO3 体系介电陶 瓷，利用 LCR、SEM 测试系统，研究了不同主晶相、Sm2O3 掺杂量以及烧结工艺对 体系微观结构和介电性能的影响。实验结果表明：随着δ取值的增大，Ba0。75Sr0。25Ti1－ δO3 陶瓷的室温介电损耗可得到改善，但较大的δ取值对提高体系介电常数温度稳定性 不利；随着 Sm2O3 掺杂量的增多，体系平均粒径减小，粒径分布的均匀性也有所改善， 同时，Sm2O3 固溶于 Ba0。75Sr0。25Ti0。994O3 陶瓷晶体中，占据钙钛矿晶格 A 位引起晶格畸 变，显著提高体系电阻率，降低其室温介电常数，且随着 Sm2O3 掺杂量的增大，试样 的居里温度向低温方向移动；烧结保温时间及成型压力对 Ba0。75Sr0。25Ti1－δO3 体系介电 性能有一定的影响。83339

毕业论文关键词：陶瓷；非化学计量；Sm2O3；介电性能；微观结构

Abstract Prepared by solid-state reaction process obtained  Sm2O3  doped non-chemical metering Ba0。75Sr0。25Ti1 － δO3 system mediated electric ceramics, using the LCR, the SEM test system of different main crystalline phase, Sm2O3 doping and sintering process on the microstructure and dielectric properties of system influence。 The experimental results show that: with the increase of the delta value,Ba0。75Sr0。25Ti1 － δO3 ceramics room temperature dielectric loss can be improved, but larger delta value to improve the unfavorable system dielectric constant temperature stability; with the increase in the amount of Sm2O3 doped, system average particle size, particle size distribution uniformity is also improved, at the same time, Sm2O3 dissolve in Ba0。75Sr0。25Ti0。994O3 ceramic crystal, occupy the perovskite lattice A causes lattice distortion, significantly improve the system to reduce the room temperature resistivity, dielectric constant, and with the increase of Sm2O3 doping amount, sample Curie temperature shifts to lower temperature; Sintering time and molding pressure have a certain effect on the dielectric properties of Ba0。75Sr0。25Ti1－δO3 system。

Keywords:ceramics; Sm2O3; dielectric properties;microstructure

目 录

第一章 文献综述 1

1。1  钛酸钡陶瓷的发展过程 1

1。2  钛酸锶钡陶瓷的简介 1

1。3  钛酸锶钡陶瓷的制备方法 3

1。4  稀土元素对钛酸锶钡电子陶瓷性能的影响 6

1。5  钛酸锶钡电子陶瓷的电学性质及应用 6

第二章 试样制备及实验方法 8

2。1  原料及设备 8

2。1。1 原料配方及规格 8

2。1。2 配方 9

2。2  实验工艺流程及工艺介绍 13

2。2。1 工艺流程 13

2。2。2 工艺介绍 15

2。3  钛酸锶钡基陶瓷的性能测试 16

第三章 结果与讨论 18

3。1  主晶相对 Ba0。75Sr0。25Ti1－δO3 体系介电性能的影响 19

3。1。1  主晶相对 Ba0。75Sr0。25Ti1－δO3 体系常温介电性能的影响 19

3。1。2  主晶相对 Ba0。75Sr0。25Ti1－δO3 体系介电温谱的影响