基于MSP430的直流电子负载设计+电路图+源程序(4)
方案二：采用硬件中断方式对输入电压进行保护。采用硬件保护方式有着系统响应迅速的优点，系统的安全系数更高，非常可靠。用稳压管和继电器组成模块电路进行过压保护。
经过以上方案论述，本系统将采用MSP430f6638单片机为控制核心，通过按键对数据进行输入，通过LCD屏幕对数据进行显示，在恒流单元电路中，将采用运放和MOS管的连接，实现恒流要求。恒流信号由单片机的DA转换部分给出。对于过压保护，本系统将采用继电器达到设计要求。
3 系统硬件设计
3.1 恒流模块
3.1.1 场效应管简介
MOSFET即金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。场效应晶体管是一种利用输入电压所产生的电场效应来控制其输出电流的三端半导体器件。场效应管输入电阻很高，噪声小，温度稳定性好，体积小。和其他半导体器件相比，它的制造工艺简单，功耗小，适用于大规模集成。本设计中采用的型号是IRF3205。
在市售的各种MOS管中，IRF3205有着先进的加工技术，且导通阻抗极低，运行温度可达175℃，于此同时，IRF3205耐压可达55V，过流可达90A以上，且价格低廉，方便采购。这种优点使其在各种大功率场合被广泛使用，图3.1为IRF3205的内部结构图。在本系统实际使用过程中，将IRF3205的G端与OP07的输出端相连，S端与采样电阻相连，D端用作于测试端。
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