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国内针对GaN材料的研究大多数把重心放在材料的生长技术和发光器件的研制上，譬如南京大学研究了GaN材料的制备技术，浙江大学半导体材料研究所在GaN材料生长以及GaN基蓝光发光二极管的制备上取得了很好的成绩，中国电子科技集团公司第四十八所研究了GaN材料的MOCVD生长设备及技术，中国科学院半导体研究所材料中心氮化镓课题组完成了高性能GaN外延材料的研究，厦门大学研究了p型GaN欧姆接触问题。另外在紫外探测器件方面，南京电子器件研究所主要致力于紫外真空器件的研究，南京大学制作出了GaN光导型探测器，北京大学制作了AlGaN的MSM紫外探测器。而我们南京理工大学长期从事半导体光电发射材料、器件和系统的研究，在NEA光电阴极发射理论和性能测试方面开展了系统性的研究工作，解决了多项理论和制备技术难题，形成了我们独特的理论体系，并获得了国家自然科学基金的资助，对GaN材料的光电发射机理及其制备技术开展了一系列的研究，在反射式NEA GaN光阴极的变掺杂制备、测试和分析方面取得令人瞩目的成果。
本课题主要涉及GaN材料量子曲线的再处理，不仅具有重要的现实意义，还具有一定的学术意。对进一步完善NEA GaN光电阴极光电的发射理论，优化GaN光电阴极的结构和制备工艺，提高NEA GaN光电阴极的量子效率，对研制高性能的半导体紫外光电发射材料、利用先进的智能检测技术提高激活工艺水平和制备高性能的真空紫外探测器件等具有重要的意义，同时为我国紫外研究计划出到一份绵薄之力。
实际工作背景：因为原有测试软件的界面如图1.4所示：
1.4 原测试软件反射式运行结果界面展示图
从上图中可以看出测试的反射式光谱响应曲线由于横坐标波长范围太宽，测试过程中以及测试完后的光谱响应曲线细节显示不清楚，因此需要编制一个针对200~400nm波长范围的紫外光谱响应测试软件。
1.3 本文的主要工作
本篇论文主要围绕GaN光电阴极的激活，相关光谱曲线的获得，软件测试评估系统的研制，在阅读了大量相关文献资料和进行一些必要实验的基础之上完成了以下工作：
（1）介绍了GaN阴极性能测试实验中涉及的相关特定实验器材，实验样品的相关参数；包括了器材的选择参数，样品相关处理操作。
（2）介绍了GaN光电阴极的制备方法，包括了：GaN薄膜生长，清洗和激活；介绍了对GaN光电阴极的测试评价方法的介绍；阐述了进行GaN光电阴极性能测试的原理。
（3）利用VC++6.0编写了GaN光电阴极的光谱响应测试，利用Visual C++语言实现了计算机对单色仪出射波长的控制、实时光电流采集、绘制光谱响应曲线和量子效率曲线的功能。
（4）对查阅的相关资料进行整合归纳，对于实验的数据进行分析，已经对现有界面重新整理完善，对当前阶段的工作存在的不足进行整合归纳。