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半导体中的反转分布是由价带的电子激发到导带形成大量的电子—空穴对而实现的，也可以光照射或电子束照射来实现[11]。实现有实用价值激光器最有效的方法是在半导体中形成 PN 结，在 PN 结上流过正向电流，在结附近的耗尽层内注入能量很高的少数载流子。在 P 型区，少数载流子电子是由 N 型区注入的，为满足电中性条件，多数载流子空穴也增加，成为激励状态。由电流注入而激励的半导体激光器称为注入型激光器(Injection Laser)，也称为激光二极管。从载流子统计考虑，为了获得反转分布，正向偏压必须满足