图2。1 PIN二极管的结构

2。2。2 PIN二极管的工作原理及等效电路

2。2。2。1直流偏压下的PIN二极管特性文献综述

零偏压下,在一个PI(π)N管中,N层的电子和I层的空穴相互扩散,在N层靠近I层的边界处形成一个空间电荷区,也称耗尽层和接触势垒。由于N层介质的掺杂浓度远远高于I层(π)的掺杂浓度,所以N层的空间电荷集中在非常薄的界面上,可以忽略不计,而I层的空间电荷层则比较厚。P层和I层虽然掺杂的是同样的杂质,但浓度有差别,也会存在多子的扩散运动,P层的多子扩散到I层,却无法复合,因而在I层一侧只有堆积的电子,没有形成空间电荷层,所以P层一侧的空间电荷层同样很薄,也可以忽略不计。可见,PIN二极管在零偏状态下I(π)层有两个区域,一个区域是空间电荷层,也称耗尽层,无载流子。另一区域则是非耗尽层。与PN结很类似,零偏压的PIN二极管在平衡状态下也是没有净电流的,不同的是I层的电阻率非常高,所以零偏状态下的PIN二极管呈高阻状态。

当加正向偏置电压时,外电场与势垒电场相反,受外加电场的作用,势垒高度降低,空间电荷层变薄,P层的空穴和N层的电子不断地向I区注入,由于复合作用,载流子慢慢变少,又因为外加正向电压使载流子不断地流向I层来补充失去的电荷,最后达到一种平衡,此时I层存在大量数量相等而电性相反的载流子,出现了“等离子体状态”也就是导电状态,因为宏观上电流不断地流过PIN二极管,PIN管电阻率变得很低,想当于导电状态。所以正向偏置时,PIN管呈低阻抗。而且外加电压越大,正向电流就越大,电阻值就越小。

当在管子两端加反向偏置电压时,外加电场主要体现在掺杂浓度低的I层,外电场与内电场方向相同,使耗尽层变厚,I层电阻变得更大,随着反偏电压逐渐变大,耗尽层会慢慢扩展到整个I层,这时载流子全部消失,称为穿透状态。但如果电压加的足够大,PIN二极管会发生雪崩击穿,此时反向电流急剧增加。

从前文可以看出,PIN二极管在直流偏置下与一般的PN结的特征类似,由于在P层和N层之间插入了一层未掺杂的I层,其耗尽层的宽度加宽,因此PIN二极管具有更小的结电容,使得管子在反偏状态下有更大的击穿电压,因此有更大的耐功率值。它在较低频段的伏安特征方程表示如下:来;自]优Y尔E论L文W网www.youerw.com +QQ752018766-

其中为PIN管中流过的电流,是管子两端的电压,T是周围环境的温度,q是载流子的电荷量,K为玻尔兹曼常数,为PIN管的反向饱和电流。

2。2。2。2交流偏压下的PIN二极管特性

1)低频

一般来说,PIN二极管对交流信号的阻抗大小主要取决于信号的幅度和信号的频率。由于低频信号的周期较大,可以忽略载流子流入I层的时间。与直流偏置状态相同,在交流信号的正半周期内,PIN管呈低阻抗,在交流信号的负半周期内,PIN管呈高阻抗,具有单向导电特性,可作为整流元件。

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