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混频器是在1924年，由Armstmg首先研制成功的。随着五、优尔十年代时半导体技术有所突破，服务于混频器的硬件技术开始完善。与此同时，混频器的设计理论也在打量实践中有了长足的进步，从上世纪八十年代，国外研究混频器的热点就集中在毫米波以上频段，而国内相对起步较晚，受制于微波电路集成水平和制版与测试仪器的精度限制，与国外的混频器研究水平以及制作工艺并不可同日而语。25602
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世界上第一个使用梁式引线二极管配合悬置带线结构完成的平衡混频器由Parrish等人于1981年开发，得益于梁式引线二极管创新的金属与半导体结合方式所带来的优异性能，90～94GHz的范围内的变频损耗小于8dB[3]。1982年，Kenneth Louie等人采用交叉结构实现w频段宽带混频器，80～102GHz的20GHz瞬时带宽内变频损耗小于7.5dB，80～106GHz的26GHz带宽内变频损耗小于8．7dB，90～102GHz的12GHz带宽内变频损耗均小于5．6 dB[4]。1983年，Wolfgang Menzel和Heinricheallse联合设计了工作在在60GHz至94GHz频段的鳍线混频器[5]。1985年，K．Chang和R．S．Tallim等人研制出W频段环形混频器，在9GHz的带宽范围中变频损耗小于7dB[6]。1987年，Steven Low等人研制了交叉型混频器，本振84GHz，射频在85～100GHz的15GHz带宽下，变频损耗整体小于7dBt[7]。1988年，Merenda．J．L等人使用四个反向并联二极管对制作了4--40GHz的谐波混频器，在整个频段内，变频损耗小于10dB，有较好的宽带特性[8]。1992年，R．J．Lang等人研制的环形GaAs二极管混频器，射频工作在整个Ka波段，当中频信号为100MHz，变频损耗为5.5dB[9]。1995年前国外就已经采用PHEMT肖特基势垒二极管MMIC技术，实现RF频率32--40GHz范围内，变频损耗小于8.5dB，最优变频损耗为5.5dB[10]。2000年Ghassan Yassin和Matthew Buffey研制出应用频率高达350GHz的SIS对极鳍线混频器，得到只有90K的低噪声温度。2005年，Mun．Kyo Lee等人制作了鳍线一共面线平衡混频器。本振功率只有6dBm，变频损耗小于10dB，本振和射频信号隔离度大于29dB[11]。2009年Bertand Thomas和Simon Rea等人研制出320GHz~340GHz的分谐波镜像抑制混频器，在通带范围内镜像抑制度达到7.2~24.1dB[12]。论文网
在国内，电子科技大学谢晋雄对两种W波段宽带混频器结构进行研究，一种是鳍
线一带线集成混频器，另外为鳍线一共面波导结构，前一种结构在射频信号85～95GHz范围内，变频损耗小于15dB。后一种在射频带宽8GHz范围内，变频损耗为9-12dB[13]。
2001年南京电子技术研究所胡建凯等人研制的单端混频器和单平衡混频器在射频信号
93GHz-96GHz的范围内，变频损耗小于10dB和9dB，达到国外80年代末的水平[14]。
2004年，电子科大董庆来对W波段鳍线共面线平衡混频器进行研制，射频92～96GHz，
本振90GHz下，变频损耗小于15dB，端口隔离度大于20dB[15]。2006年，南京五十五
所研制出6mm鳍线平衡混频器，射频信号为47GHz，变频损耗小于3.5dB，本振和射
频信号隔离度大于20dB。2008年电子科技大学的李侃制作的Ka波段四次谐波混频器在射频信号为34.36GHz时的变频损耗小于11.8dB[16]。
参考文献
[1]David M．Pozar著，张肇仪周乐柱吴德明等译，微波工程(第三版)，电子工业出版社．2006
[2]Inder Bahl著，郑新等译，微波固态电路设计（第二版），电子工业出版社.2006
[3] Peter Tor Panfish,94一GHz Beam—Lead Balanced mixer．Microwave Theory and
Techniques，1981,29(11)：426-452．
[4] Kenneth Louie，A W-band wideband crossbar mixer．IEEE MTT．S Digest,1982：
370-377．
[5] Wolfgang Menzel and Heinrich Callsen．Integrated Fin．LINE Component and
Subsystems at 60 and 90GHz．IEEE 1983．