2。4　 样品的测量 14

3  结果与讨论 14

3。1  样品Sr1。95SiO4:Sm3+0。05综合热分析。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。14

3。2  Sr2SiO4:Sm3+材料的晶体结构。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。15

3。3  不同煅烧温度对Sr2SiO4:Sm3+材料发光强度的影响。。。。。。。。。。。。。。。15

3。4  激发和发射光谱分析。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。16

3。5  助熔剂H3BO3浓度对Sr2SiO4:Sm3+发光强度的影响。。。。。。。。。。。。。。。。17

3。6  Sm3+含量对Sr2SiO4:Sm3+发光强度的影响。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。19

3。7  不同助熔剂对Sr2SiO4:Sm3+发光性能的影响。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。19

3。8  电荷补偿剂对Sr2SiO4:Sm3+发光强度的影响。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。21

结论 21

参考文献 23

致　谢 24

1　绪　论 

1。1  发光二极管的历史

1907年初，h。j。round就在半导体材料中观测到发光现象。直到上世纪60年代末，GaAsP红色发光二极管简称LED问世，开创半导体发光材料与器件研究领域的先河。经过近四十年的努力， LED的GaAsP和InGaAlP GaAlAs材料系统，发光强度提高了近1000倍。但短波发射的LED（波长小于550nm）一直是个问题，这一缺陷严重阻碍了LED的应用。90年代初，以氮化物为代表的材料体系获得了历史性突破，GaN基材料的体系上成功制备了纯绿色，蓝色和紫色LED。这一历史性的突破使得LED波长向短波方向迈进一大步，由原来的550nm扩展到380nm，LED光谱覆盖了整个可见光谱区，致使三基色完成完备的发光体系，而蓝色和纯绿色LED发光效率已接红色。

图1。1　LED的发展图示

上世纪70年代，主要是用于指示；在八十年代的户外显示屏上；九十年代用于户外电视，汽车指示；在上世纪末的交通信号灯；本世纪初，人们使用以GaN基蓝色发光二极管作为光源，通过荧光粉转换方法实现了单个LED的白色发光。这一结果让人们看到了LED在照明领域的希望。从目前的市场发展趋势看，这一预测具有一定发展性

1。2单色LED发光机理论文网

LED主要由III-IV族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、砷化镓（P砷化镓）制成，其核心是一种半PN结。当热平衡状态形成时，由于在正常情况下，二者不能越过势垒而发生复合，而当给PN结加正向电压时，由于外加电场方向与势垒区的自建电场方向相反，因此势垒高度降低，势垒区宽度变窄，破坏了PN结动态平衡。注入的少数载流子将同该区的多数载流子复合，不断的将多余的能量以光的形式辐射出去，其发光原理如图1-2所示。

图1。2发光二极管的发光原理示意图

1。3  荧光粉的发光机理和制备方法

1。3。1  发光和发光材料

发光是物体内部以某种方式吸收能量转换成光辐射的过程。当物体受到光、电场或电子束轰击的影响时，只要不发生化学变化，就要回到原来的平衡状态。在这个过程中，一部分多余的能量通过光或热释放。如果以可见光或近可见光的电磁波的形式发出的能量，这种现象将成为发光。也就是说，光是在热辐射时多余的能量以光辐射的形式发出，这种辐射的持续时间超过光的振动周期为10-11秒。