LDO芯片关键性能取决于芯片工作电压,操作温度、线性调整率,全面的技术参数,如电源抑制比[1]。由于集成电路的原因在中国起步较晚,和国外先进技术相比,设计集成电路技术水平有很大的差距。低压差线性稳压器方面,与国外先进技术相比,在生产技术,集成度，产品性能等也有很大差距。93292

在中国由于集成电路研究的局限性和制造,与国外先进国家相比，产品品种单一、产量低,满足性能需求的需求很低,高性能的需求由进口产品输出。线性电压调整器的国内外研究现状,可以看出,研究热点主要集中在以下方面:

（ 1 ）低静态电流便携式电子产品的电源系统的工作效率和电池供电时间有较高要求。与静态电流直接相关的一个关键因素是系统效率和供电时间。同时,静态电流和电压调节器和许多其他参数如负载能力和瞬态响应速度是矛盾的。这意味着优化静电的同时,降低了系统的负载能力和瞬态响应速度,以及它在设计师的低静态电流设计提出了更高的要求,必须设计合理的折衷考虑静态电流与其它参数的关系。有一种实现低静态电流的晶体管的工作电压调节器在阈值区域[0,1],该方法不仅可以实现低静态电流,同时也不会产生很大的影响到其他索引。但与此同时,这个方法将面临另一个问题,即阈值地区的许多参数MOS管不稳定,MOS管使用在这一领域的电路部分将会很困难。一个常用的方法是使用反馈循环执行稳定输出电流偏置电路实现减少过程角度的偏置电路和电源电压的变化,温度,从而实现系统的低功耗。但是这种方法可以使电路结构复杂,同时增加电路的稳定性和功耗等问题存在。 

 （ 2 ）低噪声、高电源抑制比当低压差线性稳压器集成到系统上,该系统要求稳压器噪音相对较高,尤其是在高精密仪器和通讯系统。从目前的发展趋势,提高对噪声电压调节器的性能已成为当前研究的热门话题电压调节器。有许多学者提出了不同的方法来解决噪声和电源抑制比的问题;KWeong等将调整管的结构到一个共同的来源公共电网提高电源抑制比;更普遍的方法是通过增加参考电压源的质量实现高功率抑制性能和低噪声[12]。 

  （ 3 ）瞬态响应时间短的低压差线性稳压器系统瞬态响应的影响因素很多,主要因素是环路带宽和速率。而静态电流和摆率密切相关。总之,改善瞬态响应的同时静态电流增加。所示的设计，应该考虑这方面的关系。为了减少在提高瞬态响应时对静态电流的影响,有很多研究者提出一些更好的方法。具体的方法如Hoi。Lee为代表的学者提出了增强摆率电路[13]。Tsz Yin Man和其他人发布的新结构的误差放大器,误差放大器输出级为推挽式结构,可实现低静电流下的快速瞬态响应[14]