低噪声放大器的性能随半导体器件的发展同时优化，采用PHEMT（赝配高电子迁移率晶体管）的低噪声放大器在频率为800MHz时的噪声系数可低至0。4dB，增益约17dB；在1900MHz频段的噪声系数可低至0。6dB，增益为15dB左右。80585

微波晶体管是较晚开发的三电极半导体器件，因其卓越的性能一经推出便得到了普及，且持续向集成化、大功率、高频率发展，一般用作放大器，但在振荡器、倍频器、混频器、开关等电路中也能够运用。在此介绍五种时下较为普及的元件：

1）双极型晶体管（BJT），是一种典型的半导体器件，是普通三极管向射频与微波频段的递进。BJT器件一度长期采用SGP等效电路模型作为工业标准，随着对精度要求的越来越高，自1985年开始国际上先后出现了更加先进的模型，比如Mextram模型、HICUM模型和VBIC模型，2004年，HICUM模型和Mextram模型被CMC（The Compact Model Council）选为BJT标准模型[3]。

2）金属氧化层半导体场效应晶体管（MOSFET），一种绝缘栅极场效应管，多应用于2。5GHz以下频段。MOSFET依据其工作载流子极性的不同，可分为N型与P型两种类型。它于1960年首次被实验操作成功，其原理与BJT完全不同，并且由于它性价比高、体积小、整合度高的特点，在大型或超大型集成电路中，重要性远远高于BJT。论文网

3）金属半导体场效应晶体管（MESFET），相对于以硅质料为底的MOSFET，它是一种以砷化镓质料为底的肖特基势垒栅极场效应管。GaAs-MESFET性能优良，与微波硅BJT相比，不仅工作频率高、噪声低，而且具有高饱和电平，也更加稳定。

4）高电子迁移率晶体管（HEMT），是一种异质结场效应晶体管。顾名思义，它是利用具有很高迁移率的所谓二维电子气来工作的，所以能够被应用于超高频和超高速领域。HEMT还具有很好的低温性能，可用于低温研究工作（如分数量子Hall效应）中。

5）异质结双极型晶体管（HBT），由砷化镓层和铝镓砷层构成，与结构相近的同质结相比，具有特征频率高、厄利电压高、最高振荡频率高等特点，在应用方面有Si/SiGe HBT、AlGaN/GaN HBT、PET和MISTJET。

从1988年至今，微波半导体器件的发展势如破竹，新材料的更新迭代十分迅速，它们还在不断地朝更低噪声、更宽频带、标准化和集成化的方向延伸。