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百五十微米，每两个之间的距离大概是五百微米，CSP 的制造可以进行填胶，但 是也可以不选择填胶，留有选择性。

<3> WLCSP 是隶属晶圆级制作，内含大的锡铅球或者是凸块，WLCSP 的半 径大概是一百五十微米，每两个之间的距离大概是五百微米，而且 WLCSP 的制 造不需要进行填胶。

（2）因为晶圆级封装的急速前进与迅速的开拓市场，它已经为集成电路的 研究与开发开辟了另外一条光明之路。我们可以根据材料、尺寸大小、实施方案 等等特征，把晶圆级封装大致地分成为四种类型。晶圆芯片的尺寸封装，可以在 晶圆上直接进行封装，封装之后再实施切割，切割完之后把封装完成之后的集成 电子组件变小到集成电子本身的大小，这样的话集成电路就有可能在工厂进行相 应测试以及封装。晶圆级封装内锡铅球与锡铅球之间的距离大致是 0。5 毫米到 0。8 毫米之间，已经接近标准。在进行检测的时候也是由于锡铅球与相邻锡铅球之间 的比较大的距离，还有晶圆级封装相对标准化的规格，所以 KGD（Known Good Die）已经不在是问题，完全可以得到解答。因此晶圆级芯片封装的应用能够使 得集成电子电路的设计思路变得更加简单，而且可以提高效率，还可以利用自身 的性能作用来降低制造晶圆级芯片的成本。我们如果把普通的其他封装和晶圆级 芯片尺寸封装拿来比较，对比各个数据以及优缺点，我们可以很明显的看出晶圆 级芯片尺寸封装具有更多的优点，同时也具有更大的优势，后者比前者更具性价 比，所以说晶圆级芯片尺寸封装更加的能够迎合未来对封装的需求。