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半导体火工品首先在国外发现，经过了几十年的发展，各项技术都接近于成熟。现在国外的研究方向主要是在传统的半导体桥技术的基础上，对半导体桥结构进行改进或研发新的芯片，以此加强静电防护能力及安全可靠性，并具有了成熟的技术和完善的工艺流程。其研究的内容主要有以下几方面。26703
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（1）具有介电层的半导体桥元件
在金属化的电极和桥区间之间插入了一个介电层，这个介电层的击穿电压和半导体桥发火元件的击穿电压相近,介电层与半导体桥发火元件的发火线路呈串联结构[7]。当有低于其击穿电压的杂散电势时，介电层就会阻止电流进入，对半导体桥发火元件起到一个很好的保护作用，使半导体桥发火元件处在一个较为安全的电压、电流环境下。而加上高于其击穿电压的电压时，介电层就会被迅速被击穿，这样半导体桥元件的发火电路就会形成一个闭合回路，半导体桥发火元件就可以正常发火。而介电层的介电场强度由介电层的材料和厚度决定，从而决定介电层的击穿电压，可以在一定范围内改变介电层的击穿电压，从而满足半导体桥发火元件的不同需求。其结构图如图1.1。
图1.1具有介电层的SCB
介电层的材料一般为绝缘材料，当它插入金属层和发火桥之间时，介电层就相当于一个电容器，这样就能很好地保护半导体桥发火电路。由结构图可知，介电层是集成在半导体桥火工品中的，这样既不影响半导体桥火工品的大小，也不会影响其发火性能，还能在一定程度上防止小能量的射频的影响。在实际应用的过程当中，由于不同样式的半导体桥火工品的发火时间和输入能量的不同，所以要及时改变介电层的材料和厚度来满足其需求。论文网
(2) 具有阻抗的电爆装置
在电源和电爆装置之间加入一个人阻抗元件，这个阻抗元件具有很高的阻值[8]，且这个阻抗元件含有一个铁氧体磁芯，磁芯与导线和壳体在线路上相连，从而形成一个静电泄放通道。当杂散电流进入线路之后，阻抗元件具可以很好地阻止杂散电通过流电爆装置，且磁芯与壳体相连，提供了一个接地的线路，杂散电流会通过线路，从而保护电爆装置。当正常电流通过时，阻抗元件不会影响其电流的通过，电爆装置也可以正常启动，对发火性能的影响不大。其结构图如图1.2。
图1.2 具有阻抗的电爆装置
由图1.2可知，铁氧体元件与壳体紧密相连，其元件与发火线路串联，且其能够承受多次静电放电的干扰。在放射频干扰上，铁氧体元件具有很好的性能，能够在10KHZ的范围内提供射频衰减。高阻抗元件易于操作，可以多次重复衰减静电和射频干扰，而且具有阻抗元件的电爆装置可以进行检查和测试，对其防静电能力有一个更深一步的了解。
（3）齐纳二极管
齐纳二极管，具有箝位电压的特性，其功能的实现是通过在二极管上的PN结在反向击穿的所表现出来的稳压特性[9-10]。当反向电流或杂散小电流进入发火线路时，二极管会表现出极高的电阻，从而阻止了静电对发火线路的影响。当正常直流进入发火线路时，电阻就会表现出很小的值，使得电流能够顺利通过发火线路，使半导体桥火工品能够在正常的电流激励下成功发火。齐纳二极管具有击穿电压，当超过临界电压时，二极管才能表现出低阻值的状态，随着电流的增加，加在二极管两端的电压却能保持恒定。其结构如图1.3。
图1.3集成齐纳二极管的半导体桥火工品
在半导体桥火工品中集成二极管，可以有效地衰减静电对SCB的影响。在集成齐纳二极管的基础上，还可以并联电容来提高SCB的防射频能力。但是在对齐纳二极管的击穿电压的选择上，要根据集成二极管之后的SCB 的发火性能及防静电能力来决定。