而非故障相的电压电流等，其相位和数值变化与上面所提的金属接地无差，即上 文所提，非故障线路的电流大小取决于相电压和对地电容，方向由大地流向导线， 并且其相位超前相电压90度。综合上述，系统非金属接地的特点可总结如下：

(1)故障线路的过渡电阻大小和线路零序电压存在因果关系，息息相关。 (2)在非故障线路中过渡电阻属于旁观者，并不会改变非故障线路的零序电

压、电流的大小以及相位关系，且其相位和大小和金属接地时保持一致。

2。4 小电流选线

基于小电流接地系统发生单相接地时具有的特点，目前，小电流接地信号装 置的设计判据主要有以下几种：通过零序电压的大小反映故障所处位置，通过工 频电容电流的大小或者方向来确定故障，通过零序电流的有功分量或者5次谐波 分量来确定，其中还有注入信号的方法，以及群体比幅比相的方法来确定。

2。5 本章小结

本章详细的介绍了中性点经消弧线圈接地时，其金属接地和不经金属接地 时，零序电压和零序电流变化特点。当中性点经消弧线圈接地时，其能够及时的 补偿故障点的零序电流。并且消弧线圈具有降低当电弧产生时，电弧可能复燃的 可能性。

3 磁阀式可控电抗器（MCR）

3。1 MCR 简介

磁控电抗器（magnetically controlled reactors)全称是磁阀式可控电抗器，简 称MCR，是一种容量可调的并联电抗器，主要用于电力系统的无功补偿。

3。2 MCR 原理文献综述

MCR的原理见图3。1，单述其中一半，其上下均为绕组匝数为N/2的线圈。 上半部分的线圈连接着可控硅KP1的尾端，下半部分则连接着可控硅的首

端，其中两部分的抽头比为N1/N，一根铁心所连的上半部分和下半部分。就全 局而言，一部分和另一部分之间则通过，上下两个部分的绕组和另一部分上下两 个绕组之间的交叉相连，其中二极管D0则处于两交叉点的中间位置，以便于续 流。当KP1被触发导通时，此时两绕组中会产生一种直流电，它会使铁心发生偏 磁效应，从而控制工作铁芯的饱和程度，但从不流入外部电路。当KP2被触发导 通时，此时两绕组中也会产生一种直流电，它同样会使铁心发生偏磁效应，从而 控制工作铁芯的饱和程度，但它也从不流入外部电路，就具体情况而言，两者之 间并无差别，只是由于可控硅的连接不同而导致的触发导通时所需要的电压相位 不同，由上知电抗器的铁心的磁饱和容量由偏磁电流控制，故可通过调制可控硅 的触发角的大小，来控制可控硅的开断时间，进而控制控制电抗器的铁芯饱和程 度，从而使电抗器的容量大小仅仅掌握在手。

 MCR 原理图

3。3 MCR 的工作原理

图3。1中，若KP1， KP2不工作在线性区时，MCR与常见的电抗器并无区别。 当e的数值大于0时（ e Em sin t ），KP1可能被触发导通，KP2承受反向电压并 不导通，若KP1两端电压达到门槛电压时（即触发导通），电源电压通过自耦变 压器后由线圈匝数为N2的线圈向电路提供 UKZ 以及 id1 、 id2 ，其中电压电流是直 流控制电压、电流， UKZ  Emsint 。

由上可得出当KP1和KP2分别导通时的等效电路图。从图所知，KP1和KP2 分别导通时所产生的直流控制电流相同，即各自的 id1 和id2 方向相同。也就是说， KP2和KP1在电源周期中分别承担不同的整波频段进行全波整流，其中D的作用 是续流，与其他的可控整流几无二致，方便可控半导体的关断，提高单位时间内

整流次数。改变可控半导体的的α角。从而改变id1 、id2 的大小，由此使得电抗器 的铁芯饱和程度发生不同程度的改变，进而能够不间断的而且顺畅地调节电抗器