1.3.2  磁控溅射法

    溅射的基本过程是在真空系统中通进少量的惰性气体(如氩气)使它放电产生离子(Ar+ ) ，惰性气体离子经偏压加速后形成高能离子轰击靶材(阴极)，通过粒子动量传递而使靶材原子或者分子逸出，形成溅射物流在衬底表面沉积形成薄膜。磁控溅射即在常规溅射设备中加上一个平行于阴极表面的磁场，就可以将初始电子的运动限制在邻近阴极的区域，从而增加气体原子的离化效率。磁控溅射法本身具有性能稳定、沉积速率高、基体温升低、薄膜均匀性好、膜基附着力强、工艺参数容易控制等优点，因而被广泛地研究和采用。北京工业大学材料科学与工程学院薄膜材料与技术实验室刘云辉、王波等[11]采用射频磁控溅射技术分别在Si(100)和玻璃衬底上通过调整不同的溅射功率和退火温度成功制备了MoO3薄膜。X射线衍射表明400℃以上沉积的MoO3结晶薄膜属正交晶系，沿(0k0)(k=2n)取向择优生长，衍射峰强度和薄膜的结晶度随溅射功率的提高逐渐增强；利用扫描电镜观察表面形貌，发现结晶的薄膜表面发生了不同程度的变化，由初期均匀分布的纳米细长状颗粒长大成二维片状结构；紫外可见光分光光度计测试表明，薄膜在可见光区具有良好的光学透过性，平均透过率达60％以上。