图2 下降法生产的二氧化碲单晶

2009年, 葛增伟等利用两次生长制备技术和溶解制粉的纯化过程得到了高纯度的晶体。该方法制备的 TeO 2单晶纯度高, 特别是U、Th等放射性杂质含量可降低至10 -14g/g。储耀卿等运用光学显微镜、电子衍射光谱和化学腐蚀等方法分析了下降法生长的TeO2晶体的内部缺陷, 发现晶体内部的散射点来源于原料中杂质, 条纹主要由晶体内应力引起, 而晶体内的气泡和黑点与晶体生长的温度密切相关。2012 年, Cardani等用2。13 kg大尺寸TeO 2单晶用于中微子研究。该单晶由上海硅酸盐研究所的葛增伟等利用改进的下降炉和生长工艺制备而成,其截面已达 54。0 mm×58。2 mm,长度为111。3 mm。大尺寸TeO2单晶可有效利用其比表面积小的特点,减少表面污染, 提高中微子探测能力。

1。3。2二氧化碲晶体的表征

  阶段1：开始增长

气泡和黑色夹杂物集中在晶体的中间，在沿生长轴的直径约5mm的圆柱体内。 气泡具有各种形状和尺寸，其体积从约5mm3直到200mm 3。 在该区域之外，晶体没有缺陷，只要生长速率R小于0。6mm•h -1。 在所检查的封闭气泡的几乎每一个内部发现黑色夹杂物