第二章为 CMOS 传感器的工作原理分析,介绍了 CMOS 传感器的种类和结构,然后通 过光生伏特效应分析了 PN 光电二极管的工作原理,接下来介绍了主要噪声及产生机理。

第三章为 CMOS 传感器的整体模块设计,介绍了 AD620、CD4051 的工作原理以及单片 机 STM32F103 的 datasheet,利用 C 语言进行编程,以控制单片机实现整个多光电探测器信 号同步控制与采集,即采用 PD、N 型 MOS 管等元件设计实现像素为 8×8 的 CMOS 传感器工 作。并给出了电路原理图及 PCB 设计图。

第四章为硬件电路及芯片搭建,KEIL5 源文件烧写到 STM32 上后运行仿真,采集相应数 并分析及作图,最后在 MATLAB 中以三维图像呈现。意在仿照 CMOS 图像传感器对光学信 号进行采集处理。

最后一章为对论文工作总结。

2 CMOS 图像传感器的工作原理

2。1 CMOS 图像传感器的类别

CMOS 芯片组成

由图 2。1 可知,CMOS 传感器除了与 CCD 同样拥有感光元件 pixel array、行列存储移位 器以及电荷放大器,还添加了用于处理模拟信号的单元、A/D 模数转换器以及图像信号处理、 时序电路等单元。

在分类上,按照感光元件差别,CMOS 传感器可分为 MOS 管光栅型和光电二极管型, 按像素上电路不同的复杂度可分为有源像素(Active Pixel Sensor,APS)型和无源像素(Passive Pixel Sensor,PPS)结构[8]。如今的研究主流是光电二极管感光元的 APS 型 CIS,因此对光栅 型及 PPS 型只做如下的简要介绍:

2。1。1 光栅型 CMOS 图像传感器

光栅型图像传感器(Photogate CMOS Image Sensor,PG CIS)的光栅部分有 Poly,SiO2 , p-sub。PG 工作于深耗尽态,即给 Poly 加上正电压,将会有耗尽层于 P 型衬底上部形成,随 电压增大,电子将多于带电离受主而形成反型层,基于这个原理,如果 Poly 突然接收较大电 压,耗尽层中的 v 电子产生低于 v 电压变化,无法及时建立反型层,为了维持电中性,大量受主由耗 尽层向半导体内部延生产生。来*自~优|尔^论:文+网www.youerw.com +QQ752018766*

光栅工作在深耗尽的状态,当 PG CMOS Image Sensor 受光照时,耗尽层中随之形成的光 生电子空穴对会以迟缓的 v 复合,并一直累积增加。此时,将输出节点的浮置扩散(Floating Diffusion Output Node,FD)复位到 VDD1,接着改变光栅脉冲,让加在 PG 的电压值低于 FD, 形成的电压差使得光生载流子从耗尽层中以缓慢的 v 向 FD 扩散,FD 处的电位下降到 VDD2。

通过比较 FD 处的 VDD1 复位电压水平)与 VDD2(信号电压水平)之差,就可以得出与光强 度为正比的输出信号[9]。

由结构图 2。2 可看出,光栅型像素的双层多晶硅工艺略为复杂。可以在 PG 和 TX 之间需 要插入扩散桥(Diffusion Bridge)来实现单层 Poly[10],但是 Diffusion Bridge 会引起电子拖影; 其次 Poly 会选择吸收光,特别是多层覆盖之后,量子效率明显降低,影响光响应,尤其是蓝 光。但是其读出噪声得到了较好的抑制(10~20 均方根电子)。

上一篇:AT89C52单片机GSM的安全报警系统设计
下一篇:小波变换图像融合提高显微图像景深研究

STM32激光雷达探测器高压电...

XMPP多点监测尘埃粒子计数器通讯设计

XMPP多点尘埃粒子计数器通信电路设计

Jerene人工免疫系统的多机器人协作探测研究

多输入多输出网络控制系统的控制器设计

基于多指标决策的通信网...

多小区协作大规模MIMO系统的能效优化

我国风险投资的发展现状问题及对策分析

互联网教育”变革路径研究进展【7972字】

老年2型糖尿病患者运动疗...

新課改下小學语文洧效阅...

张洁小说《无字》中的女性意识

LiMn1-xFexPO4正极材料合成及充放电性能研究

网络语言“XX体”研究

ASP.net+sqlserver企业设备管理系统设计与开发

麦秸秆还田和沼液灌溉对...

安康汉江网讯