摘要：随着社会经济的快速发展和人们生活水平不断的提高，信息的存储和读取越来越受到关注。记忆存储器件是一种用于信息的存储和读取的介质，已被广泛的运用到各行各业中。本文介绍以石英玻璃基片作为衬底，首先利用激光脉冲沉积（PLD）技术来制备a-C:Fe膜，然后运用真空热蒸发的方法在非晶碳膜上镀上两个Al层，最后添用Al电极接线制备成纳米薄膜记忆电阻器。该电阻存储器读写速度快，可重复性强；并具有结构简单，稳定、耐振动的优点。71476

毕业论文关 键 词：激光脉冲沉积（PLD）技术、非晶碳膜、纳米薄膜记忆电阻器

Abstract：With the rapid development of social economy and the continuous improvement of people’s living standard, information storage and reading have become increasingly attractive. Mnemotechny is a kind of medium used to store and read information, and has been widely used in all walks of life. In this paper, quartz glass substrate is taken as an underlayment. Firstly, PLD technique is used to make the a-C:Fe films.Then,vacuum thermal evaporation method is used to cladd two layers of A1 material on the amorphous carbon film. Finally, A1 electrode connections are used to make the nanometre film mnemotechny.This resistive RAM is good in read-write speed and reproducibility. And it has a simple, stable and anti-vibration structure.

Key words: Pulsed laser deposition (PLD) technique, Amorphous carbon film, Nanometer thin film resistor memory.

目 录

1 绪论 1

1.1 引言 1

1.2非易失性存储器的介绍 2

1.2.1 闪存存储器（Flash Memory） 2

1.2.2 铁电随机存储器（FRAM） 2

1.2.3 磁阻随机存储器（MRAM） 3

1.2.4 相变随机存储器（PRAM） 4

1.2.5 阻变随机存储器（RRAM） 5

1.2.6 几种非易失性存储器的比较 6

1.3  阻变存储器的研究状况 6

2 实验方法 9

2.1 薄膜和器件制备的原理方法 9

2.1.1 激光脉冲沉积（PLD）薄膜制备技术 9

2.1.2  真空蒸镀法 13

2.2 薄膜和器件的制备 14

2.2.1 靶材和衬底处理 14

2.2.2 非晶碳膜的沉积 14

2.2.3 电极的制备 15

3 实验结果及分析 15

3.1 a-C:Fe薄膜的紫外可见光谱分析 15

3.2 a-C:Fe薄膜的拉曼光谱分析 17

3.3 非晶碳膜的电性能表征 18

结 论 19

参考文献 19

致谢 20

1 绪论

1.1 引言

随着科技的发展和信息全球化的来临，人们接触了越来越多的数据，这些数据就需要大量的存储器去存储。手机、电脑、U盘普及率越来越高，成为了强大的信息数据的存储设备。

目前，磁存储器、半导体存储器和光存储器是市场上占有率极高的三类存储器。半导体存储器因为其具有成熟的制备方法和廉价的成本被大量的使用。半导体存储器因为不同的存储功能和读取数据的方式可分为两种：一是挥发性随机存储器，二是不挥发性存储器（如图表1.1所示）。SRAM和DRAM虽然具有高速度和高集成度的特点，但也有断电会损失其数据、外界磁场会使其不能存储数据的缺点。不挥发性存储器在存储数据后，理论上是永久不变的，即使断电也不会损失。不挥发性存储器又可分为ROM和不挥发RAM两种。其中ROM又可划分成掩膜ROM、PROM、EPROM和EEPROM[1]。Flash属于不挥发RAM在近年来越来越受到研究人员的关注，主要因为轻巧便于携带和断电不会丢失数据。但它还有许多的缺点如：写入速度较慢和擦出电压比较大，使其越来越不能满足人们对信息的存储需求。论文网