近年来，半导体制作工艺不断发展和进步，许多不同种类的光电探测器应运而生。其中含 有已经广泛应用的光电二极管： APD 光电二极管、PIN 光电二极管和 PN 光电二极管，光电 导开关及太赫兹的光电导，太阳能电池和光电三极管。随着研究技术的不断深入，光电探测器 等效电路的发展也不断完善。72656

T．N．Swe，K。S。Yeo 等最先将 PN 光电二极管通过定性的方式理论分析。PN 光电二极管 有着普通二极管相似的结构。都是采用的离子注入工艺类型，有两个掺杂区分别为 N+区和 P+ 区，两个引脚与对应的两个掺杂区相连，N 区与 P 区之间由载流子形成空间电荷区[6]。

PN 光电二极管相比于普通二极管最大的不同在于，PN 光电二极管可以接收外界输入光， 并能产生光电反应：吸收光子，产生电子。在外界电场作用下，形成与光照强度成正比的的光

电流。这是目前分析比较成熟的 PN 光电二极管等效电路。

国内对于 PN 光电二极管的研究并不少见，目前较为经典的等效电路采用电流源同一个二 极管并联的方式[7]。该等效电路的结构非常简单，输出电流的大小可以通过光照和偏压实现对 其的改变。

为实现对光电探测器的灵敏度提高，增大光电流的输出，PIN 光电二极管应运而生。国内 研究人员针对封装寄生效应提出更常用的等效电路。

G Wang 与 Tokumistsu 等人以通用等效电路为基础，建立了具有载流子传输时间效应的等 效电路。论文网

人们对一种比 PIN 光电二极管产生光更大电流的光电二极管 APD 光电二极管的研究比较 多。Daoxin Dai 对 APD 光电二极管提出的等效电路更具有载流子传输时间效应和寄生效应。 在国内，陈维友等换了角度，对 APD 光电二极管的等效电路重新进行了改进。基于 APD 光电二极管可以简化为一维结构的形式，并用电路形式代替载流子速率方程从而得到 APD 光

电二极管的另一种等效电路形式。 近年来，激光技术发展越来越快，电脉冲和超宽带电磁波会随着光电导在激光辐射脉冲照

射而产生，甚至是太赫兹的。因此，人们加大了对于光电导的研究，并有了新的思路。